제품개요

반도체 생산 라인에 있어서 코팅 및 현상 시스템은 초기 칩 시제품부터 회로 패턴 형성까지 필수적인 핵심 장비입니다. 기판을 받은 후 코팅 및 현상 시스템은 먼저 고속-회전 시스템을 활성화합니다. 정밀하게 속도를 제어하는-턴테이블을 사용하여 포토레지스트가 고르게 퍼지고 밀리미터-레벨의 가장자리까지 부드럽게 코팅할 수 있습니다.-이 단계는 정밀도를 테스트하는 가장 중요한 단계이며 약간의 편차가 후속 칩 성능에 영향을 미칩니다.

코팅된 포토레지스트는 여전히 경화되어야 합니다. 코팅 및 현상 시스템에 내장된-가열판은 점차적으로 가열되어 접착층이 기판에 단단히 접착되도록 합니다. 리소그래피 기계가 노광을 완료한 후 즉시 현상 프로세스를 이어받습니다. 현상제의 온도와 분사 강도를 조절함으로써 노출되지 않은 여분의 접착제 층을 제거하고 집적 회로의 기본 패턴이 드러납니다.

실제 사용 시 코팅 및 현상 시스템의 선폭 정밀도는 특히 신뢰할 수 있으며 다양한 칩 제조 공정에 적합합니다. 게다가 생산라인에서 가장 중요시하는 생산능력도 뛰어나다. 메모리 사용량은 적으면서도 시간당 많은 수의 기판을 처리할 수 있습니다. 10시간 이상 지속적으로 안정적으로 작동할 수 있으며 대량 생산 리듬을 완벽하게 따라갈 수 있습니다.

귀하에게 가장 적합한 솔루션을 얻으려면 영업 담당자에게 문의하십시오.

장점

고정밀 칩 제조는 정밀 스핀 코팅 기술을 사용하여 일관된 포토레지스트 도포를 보장하고 후속 처리 어려움을 크게 줄여줍니다.

장치 간 타이밍 정렬 및 웨이퍼 전송과 같은 복잡한 문제는 특별한 협업 제어 방법을 통해 쉽게 처리됩니다.

온도 제어 정확도, 나노 수준의 균질성 및 결함 제어의 상당한 발전으로 수율이 90%를 넘었습니다.

특수 스핀 코팅 솔루션은 모든 기판 유형에 적합하며 다양한 두께와 특이한 모양의 웨이퍼에 적용될 수 있습니다.

최적화된 회전 속도와 코팅 압력으로 균일성과 효율성이 균형을 이루어 수율 손실을 크게 낮추고 불규칙한 모양의 칩 제조를 더 쉽게 만듭니다.

매개변수

①DS100

product-402-460

DS 100 장치 개요
장치 크기(mm)	*282510801600* 2C2D+인터페이스	웨이퍼 크기	2~6인치 웨이퍼(50mm~100mm)
WPH	160개 이하	MTTR	4시간 이하
장점 평가	Class1@0.1μm 웨이퍼 이송 영역만	MTBF	1000시간 이상
적용 가능한 프로세스	I 라인, PI, PR	MTBM	>6개월
웨이퍼 접촉 재료	PEEK/PTFE/세라믹	웨이퍼 파손률	0.01% 이하
카세트	SMIF; 오픈 카세트	가동 시간	95% 이상
적용분야	화합물 반도체, 집적 회로, 전력 장치, 과학 연구 프로젝트, 광학 장치, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, 워핑 웨이퍼, 사각 웨이퍼	소프트웨어 런타임 환경	Windows 10 이상의 운영 체제
최소 선폭	350nm	콜드 및 핫 플레이트 모듈	(HP; CPL; ADH; HHP) 14PCS 이하

②DS 200

product-1204-1106

DS 200 장치 개요
장치 크기(mm)	*166015102000* (타워 디자인)	웨이퍼 크기	2~6인치 웨이퍼(50mm~100mm)
WPH	150개 이하	MTTR	4시간 이하
장점 평가	Class1@0.1μm 웨이퍼 이송 영역만	MTBF	1000시간 이상
적용 가능한 프로세스	I 라인, PI, PR	MTBM	>6개월
웨이퍼 접촉 재료	PEEK/PTFE/세라믹	웨이퍼 파손률	0.01% 이하
카세트	SMIF; 오픈 카세트	가동 시간	95% 이상
적용분야	화합물 반도체, LED, 광소자, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, 워핑 웨이퍼, 사각 웨이퍼	소프트웨어 런타임 환경	Windows 10 이상의 운영 체제
최소 선폭	350nm	콜드 및 핫 플레이트 모듈	(HP; CPL; ADH; HHP) 14PCS 이하

③DS 300

product-369-492

DS300 장치 개요
장치 크기(mm)	*285013602200* 2C2D+인터페이스	웨이퍼 크기	4~8인치 웨이퍼(100mm- 200mm)
WPH	160개 이하	MTTR	4시간 이하
장점 평가	Class1@0.1μm 웨이퍼 이송 영역만	MTBF	1000시간 이상
적용 가능한 프로세스	I 라인, PI, PR	MTBM	>6개월
웨이퍼 접촉 재료	ASML, 니콘, 캐논, CECT, SMCC	웨이퍼 파손률	0.01% 이하
카세트	SMIF; 오픈 카세트	가동 시간	95% 이상
적용분야	화합물 반도체, 집적 회로, 전력 장치, 메모리 칩, 과학 연구 프로젝트, 광학 장치, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, 워핑 웨이퍼, 사각 웨이퍼	소프트웨어 런타임 환경	Windows 10 이상의 운영 체제
최소 선폭	180nm	콜드 및 핫 플레이트 모듈	(HP; CPL; AD; DHP) 24PCS 이하

④DS400

product-589-441

DS 400 장치 개요
장치 크기(mm)	*397516552550* 4C4D+인터페이스	웨이퍼 크기	6~8인치 웨이퍼(150mm- 200mm)
WPH	180개 이하	MTTR	4시간 이하
장점 평가	Class1@0.1μm 웨이퍼 이송 영역만	MTBF	1000시간 이상
적용 가능한 프로세스	I 라인, KrF, ArF, PI, PR, 패키지	MTBM	>6개월
웨이퍼 접촉 재료	ASML, 니콘, 캐논, CECT, SMCC	웨이퍼 파손률	0.01% 이하
카세트	FOUP; SMIF; 오픈 카세트	가동 시간	95% 이상
적용분야	화합물 반도체, 집적 회로, 전력 장치, 메모리 칩, 과학 연구 프로젝트, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, 워핑 웨이퍼, 사각 웨이퍼	소프트웨어 런타임 환경	Windows 10 이상의 운영 체제
최소 선폭	90nm	콜드 및 핫 플레이트 모듈	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP ; HCP) 38PCS 이하

⑤DS500

product-501-501

DS 500 장치 개요
장치 크기(mm)	*537021002650* 4C4D+인터페이스	웨이퍼 크기	8- 12인치 웨이퍼(200mm- 300mm)
WPH	200개 이하	MTTR	4시간 이하
장점 평가	Class1@0.1μm 웨이퍼 이송 영역만	MTBF	1000시간 이상
적용 가능한 프로세스	I 라인, KrF, ArF, PI, PR, 패키지	MTBM	>6개월
웨이퍼 접촉 재료	ASML, 니콘, 캐논, CECT, SMCC	웨이퍼 파손률	0.01% 이하
카세트	FOUP; SMIF	가동 시간	95% 이상
적용분야	화합물 반도체, 집적 회로, 전력 장치, 메모리 칩, 과학 연구 프로젝트, IC, IGBT, MOSFET, MEMS, 워핑 웨이퍼, 사각 웨이퍼, CoWoS	소프트웨어 런타임 환경	Windows 10 이상의 운영 체제
최소 선폭	45nm	콜드 및 핫 플레이트 모듈	(LHP; CPL; ADH; HCH; PHP ; HCP) 42PCS 이하