제품개요

당사의 수직형 및 수평형 튜브 가열로는 모두 고정밀 온도 제어-에 중점을 두고 있으며{1}}산화, 확산, 어닐링과 같은 주요 반도체 열처리를 처리합니다.{2}}대량 생산이든 실험실 R&D이든 상관없습니다. 이들 간의 실제 차이점은 구조와 특정 용도에 어떻게 적합한지에 따라 결정됩니다.

수직관열로

수직 관상로는 공간을 절약하고 8인치 이하의 웨이퍼에 적합합니다(12인치 산업용 옵션 사용 가능). 주요 사양: 최대 일정 온도 영역 850mm, 제어 정확도 ±0.5도.

산업 모델: 논스톱 배치 처리를 통해 IC/IGBT 대량 생산을 촉진합니다. 연구 모델: 소규모 배치 검증을 위한 SiC/양자 칩 중간-저온 요구 사항을 충족합니다.-

수평관열로

수평 관상로 설계, 유연한 1-4 튜브 구성; 300-1000mm 맞춤형 항온 영역, 400도 -1200도 범위.

산업 모델: 웨이퍼 도핑/구조 형성을 위한 다중{0}}공정 통합. 연구 모델: 교육과 개발을 혼합하여 대학의 소규모-배치 실험에 이상적입니다.

둘 다 클린 챔버와 안정적인 온도 제어를 사용하여 R&D부터 대량 생산까지 반도체 열 요구 사항을 충족합니다.

응용

- 대학/연구 기관: SiC, 양자 칩 등의 소규모 배치 R&D를 지원하여-신소재 공정 검증 및 성능 테스트를 지원합니다.
- 마이크로{1}}나노 처리: 확산, 산화, 어닐링을 처리하며 LPCVD는{2}}광전자/광자 장치 연구를 위한 유연한 플랫폼 역할을 합니다.
- 광학 장치 R&D: 통합 광 도파관/고속-광 장치 개발에 적합합니다. 양성자 교환에서 LiNbO₃ 열처리 요구 사항과 일치합니다.
- 대학 교육: 실험 교육/프로세스 개발을 지원하고 반도체 열 장비를 익히고 이론과 엔지니어링을 연결하도록 돕습니다.

장점

고정밀-온도 제어:

±0.5도 정확도; 1100도에서도 단일 지점 안정성은 24시간 동안 ±0.5도를 유지하여 안정적인 데이터 반복성을 보장합니다.

다중-프로세스 호환성:

수직로는 확산/산화를 지원합니다. 수평형은 어닐링 및 LPCVD를 추가합니다. 둘 다 SiC/양자 칩 R&D에 적합합니다.

연구 친화적인-적응성:

8-인치 이하의 웨이퍼(1-4개 튜브 옵션)와 함께 작동합니다. 단일 튜브 소규모 배치 설계로 비용이 절감됩니다. 실험을 위한 장기간 연속 실행을 지원합니다.

매개변수

목	수직형 관상로	수평형 관상로
온도 범위	200도 -600도, 600도 -1200도(두 가지 범위 옵션)	200도 -600도, 600도 -1200도(두 가지 범위 옵션)
온도 제어 정확도	±0.5도 이하	±0.5도 이하
온도 균일성	-	±1도 이하
단일-점 온도 안정성	연속 24시간 동안 ±0.5도 @1100도 이하	연속 24시간 동안 ±0.5도 @1100도 이하
최대 가열 속도	10도/분	10도/분
항온대의 길이	200-500mm	200-500mm